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微觀裝置的制造及其處理技術(shù)
  • 一種硅深孔內(nèi)金屬填充的方法與流程
    本發(fā)明涉及硅深孔內(nèi)金屬填充,尤其是涉及一種硅深孔內(nèi)金屬填充的方法。、tsv(through-silicon?via),即硅深孔,其在許多mems器件中是必不可少的結(jié)構(gòu)。但是硅深孔由于具有極大的深寬比——典型的硅結(jié)構(gòu)具有-um直徑的開口和-um開口的深度,其深寬比一般在:以上,導(dǎo)致一般傳統(tǒng)的...
  • 具有機械應(yīng)力補償?shù)腗EMS器件和相關(guān)制造過程的制作方法
    本公開的實施例涉及一種具有機械應(yīng)力補償?shù)奈C電(mems)器件和相關(guān)制造過程。、設(shè)想懸臂存在的微機電(mems)器件非常普遍。、例如,圖示出了mems器件,它包括具有在其內(nèi)延伸的空腔的相應(yīng)半導(dǎo)體本體。mems器件包括:懸臂,具有與半導(dǎo)體本體一體的端部,并且包括相應(yīng)的半導(dǎo)體部分;氧化物層,通...
  • 一種單片集成MEMS微差壓芯片及制備方法與流程
    ?本發(fā)明屬于mems領(lǐng)域,具體的說就是一種基于fdi工藝的單片集成mems微差壓芯片及制備方法。:(全介質(zhì)隔離fully?dielectric?isolation)mems(微機電系統(tǒng))是一種基于微納米技術(shù)的集成化器件,將機械結(jié)構(gòu)、傳感器和電子電路融合在微小的芯片中,具有小型化、低功耗、高...
  • 一種帶IC的島、梁膜結(jié)構(gòu)微壓差傳感器制備方法與流程
    本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路,具體地說就是一種帶ic的島、梁膜結(jié)構(gòu)微壓差傳感器制備方法。、?mems壓力芯片是微機電系統(tǒng)(mems)技術(shù)應(yīng)用發(fā)展中的重要成果,它是由微電子、微機械相結(jié)合而產(chǎn)生的一種新型微壓力測量系統(tǒng)。mems壓力芯片是一種超小型的壓力測量系統(tǒng),該系統(tǒng)的壓敏電阻在微機械結(jié)構(gòu)的作用...
  • 一種具有釋放結(jié)構(gòu)的薄襯底集成電路及其釋放收集方法
    本發(fā)明涉及一種具有釋放結(jié)構(gòu)的薄襯底集成電路及其釋放收集方法,屬于集成電路領(lǐng)域。、硅基電路,由于其高集成度、低功耗以及與互補金屬氧化物半導(dǎo)體(cmos)工藝相兼容等優(yōu)勢而備受關(guān)注。隨著工作頻率的提高,射頻集成電路器件越來越難以忽略復(fù)雜電磁環(huán)境帶來的寄生效應(yīng),并且高頻集成電路信號傳輸線的關(guān)鍵尺...
  • 一種基于LCEs的可逆粘附表面及對細顆粒的操控方法
    本發(fā)明涉及細顆粒粘附操控,尤其是涉及一種基于lces的可逆粘附表面及對細顆粒的操控方法。、可逆粘附表面能夠?qū)崿F(xiàn)對粘附力的可逆調(diào)控,在攀爬機器人、藥物釋放等領(lǐng)域具有廣闊應(yīng)用前景?,F(xiàn)有的具有表面微結(jié)構(gòu)的可逆粘附表面易受細顆粒污染而導(dǎo)致粘附性能下降,需要脫粘附顆粒才能恢復(fù)粘附力。同時,在藥物遞送...
  • 一種3D軟性神經(jīng)電極點定制化絕緣方法
    本發(fā)明屬于生物醫(yī)電,具體涉及一種d軟性神經(jīng)電極點定制化絕緣方法。、d電極尖端的絕緣層設(shè)計對神經(jīng)信號的采集和刺激有重要意義。對于采集應(yīng)用,絕緣層可以有效屏蔽電極尖端以外的部分,避免尖端以外部位直接接觸大腦組織,從而減少非目標腦組織的信號干擾,提高信號選擇性。對于刺激應(yīng)用,絕緣層可以限制刺激電...
  • 一種MEMS器件及其制造方法、電子裝置與流程
    本發(fā)明涉及半導(dǎo)體,具體而言涉及一種mems器件及其制造方法、電子裝置。、微機電系統(tǒng)(micro-electro-mechanical?system,mems)技術(shù)是近年來高速發(fā)展的一項高新技術(shù),它采用先進的半導(dǎo)體制造工藝,實現(xiàn)傳感器、驅(qū)動器等器件的批量制造。與對應(yīng)的傳統(tǒng)器件相比,mems器...
  • 一種MEMS壓力傳感器及其制備方法、電子裝置與流程
    本發(fā)明涉及半導(dǎo)體,具體而言涉及一種mems壓力傳感器及其制備方法、電子裝置。、mems壓力傳感器是在mems工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來的前沿研究領(lǐng)域,其適用于高沖擊、高過載、導(dǎo)電、腐蝕、輻射等惡劣環(huán)境,并廣泛應(yīng)用于航空航天、電子、工業(yè)、醫(yī)療衛(wèi)生與環(huán)境監(jiān)測等領(lǐng)域。其中,電容式壓力傳感器是mems壓力...
  • 集成加熱電阻及導(dǎo)線的懸臂梁的加工方法與流程
    本發(fā)明涉及mems器件結(jié)構(gòu)支撐,尤其涉及集成加熱電阻及導(dǎo)線的懸臂梁的加工方法。、目前,部分半導(dǎo)體物理器件需要依靠低導(dǎo)熱系數(shù)的懸臂支撐來降低熱量傳導(dǎo)損失從而降低器件的整體功耗,懸臂使用材料主要為可進行圖形設(shè)計的光敏型聚酰亞胺光刻膠經(jīng)高溫固化形成,在聚酰亞胺薄膜上設(shè)計電路圖形時,由于聚酰亞胺材...
  • 微電子機械傳感器和用于制造微電子機械傳感器的方法與流程
    本發(fā)明涉及一種微電子機械傳感器和一種用于制造微電子機械傳感器的方法。、從現(xiàn)有技術(shù)已知微電子機械傳感器和用于制造微電子機械傳感器的方法。、de?????a公開了一種用于制造微電子機械的慣性傳感器的方法。、狀態(tài)參量(例如壓力)的測量可以借助于微電子機械傳感器執(zhí)行。這些傳感器提供下述優(yōu)點:它們對...
  • 片上微系統(tǒng)的真空封裝設(shè)備和方法、真空封裝的片上微系統(tǒng)
    本發(fā)明涉及片上微系統(tǒng)真空封裝,尤其涉及一種片上微系統(tǒng)的真空封裝設(shè)備和方法、真空封裝的片上微系統(tǒng)。、片上微系統(tǒng)(system?on?chip)的類型包括微機電系統(tǒng)(micro-electro-mechanical?system,mems)(如mems陀螺儀、mems加速度計等)、微型熱輻射成...
  • 用于dPCR反應(yīng)的微液滴陣列芯片的制備方法及微液滴陣列芯片與流程
    本發(fā)明涉及pcr生物技術(shù),尤其涉及用于dpcr反應(yīng)的微液滴陣列芯片的制備方法及微液滴陣列芯片。、當前的數(shù)字聚合酶鏈反應(yīng)(digital?polymerase?chain?reaction,dpcr)依賴于將水相反應(yīng)溶液微分化為多個獨立反應(yīng)單元分布在油相中以形成微液滴陣列的技術(shù),目前主要有基...
  • 一種用于微型硅基MEMS器件的高潔凈固定和分離方法
    本發(fā)明涉及mems工藝的,具體地,涉及一種用于微型硅基mems器件的高潔凈固定和分離方法。、微納米技術(shù)的發(fā)展中mems一直是一個重要的應(yīng)用方向,mems技術(shù)工藝復(fù)雜,異結(jié)構(gòu)器件種類繁多,對于在硅基襯底上制備的各種器件樣品,如何將其固定、分離亦是一個難題。、當前針對此類器件多采用金剛石砂輪、...
  • 一種MEMS刻蝕深孔內(nèi)金屬圖形化的方法
    本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件,更具體地,涉及一種mems刻蝕深孔內(nèi)金屬圖形化的方法。、微機電系統(tǒng)(mems)是指特征尺寸在nm~mm之間,集微型機構(gòu)、微型傳感器、信號處理電路、信號控制電路以及微型執(zhí)行器于一體的微型器件或系統(tǒng)。隨著消費電子產(chǎn)品對增大存儲能力且縮小封裝外形要求的提高,mems工藝中的...
  • MEMS設(shè)備的制作方法
    本發(fā)明涉及一種mems設(shè)備,所述mems設(shè)備具有襯底、膜片、空腔和加熱元件,所述空腔布置在所述襯底與所述膜片的至少一部分之間,所述加熱元件位于所述空腔中。、mems設(shè)備是微機電設(shè)備,如例如在mems傳感器裝置中所使用的那樣。這種類型的設(shè)備例如由wo?/?a已知。mems傳感器裝置具有能夠變...
  • 一種基于熱交叉的多溫度區(qū)微熱板及制造方法
    本發(fā)明屬于mems(micro-electro-mechanical?systems,微機電系統(tǒng)),具體涉及一種基于熱交叉的多溫度區(qū)微熱板及制造方法。、在氣體檢測領(lǐng)域,金屬氧化物半導(dǎo)體(metal?oxide?semiconductor,mox)氣體傳感器憑借優(yōu)異的物理和化學(xué)特性成為實用型...
  • 一種芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
    本技術(shù)涉及芯片封裝,特別涉及一種芯片封裝結(jié)構(gòu)。、mems是指尺寸在幾毫米乃至更小的高科技裝置,其內(nèi)部結(jié)構(gòu)一般在微米甚至納米量級,是一個獨立的智能系統(tǒng)。、壓電mems加速度計是基于壓電效應(yīng),結(jié)合半導(dǎo)體工藝制備得到的一種加速度計器件,其核心技術(shù)為多懸臂梁-質(zhì)量塊架構(gòu)。當給器件施加加速度的時候,...
  • 用于無支撐地布置的硅結(jié)構(gòu)的應(yīng)力補償方法、半導(dǎo)體元件和傳感器與流程
    本發(fā)明涉及一種用于在單晶硅半導(dǎo)體基底中形成的空腔中無支撐地布置的硅結(jié)構(gòu)的應(yīng)力補償?shù)姆椒?、一種半導(dǎo)體元件和一種傳感器。、公開文獻de?????a公開了一種帶有挖槽形成的空穴的傳感器元件。、公開文獻de?????a公開了一種用于在半導(dǎo)體基底中產(chǎn)生掩埋的空腔的方法。、專利文獻us,,b公開了一種...
  • 半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)和其制造方法與流程
    本公開涉及一種微機電系統(tǒng)(mems)設(shè)備的封裝,并且更具體地涉及一種增加產(chǎn)品產(chǎn)率的大管芯尺寸的mems設(shè)備的封裝。、壓電微機械超聲換能器(pmut)是響應(yīng)于與薄壓電膜耦接的薄膜的撓曲運動而不是如在體壓電超聲換能器內(nèi)的壓電陶瓷板的厚度模式運動而操作的mems設(shè)備。應(yīng)當注意,pmut是一類微機...
技術(shù)分類